casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QS5W1TR
Número da peça de fabricante | QS5W1TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-QS5W1TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QS5W1TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | 270MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS5W1TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QS5W1TR-FT |
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3CSG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C2N
Intel
10AX032E4F29I3SG
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C5N
Intel