casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QS5W1TR
Número da peça de fabricante | QS5W1TR |
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Número da peça futura | FT-QS5W1TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QS5W1TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | 270MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS5W1TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QS5W1TR-FT |
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C3T144C8N
Intel
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84
Microsemi Corporation
10M50DCF256C8G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C8
Intel