casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIL10Y8R2KNC
Número da peça de fabricante | CIL10Y8R2KNC |
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Número da peça futura | FT-CIL10Y8R2KNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIL10 |
CIL10Y8R2KNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 5mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 2.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 35 @ 4MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 18MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 4MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.037" (0.95mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIL10Y8R2KNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIL10Y8R2KNC-FT |
CIG21L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EHR47MNE
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CIG21W4R7MNE
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CIG21L4R7MNE
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CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C2R2MNE
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CIG21C4R7MNE
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CIG21L1R0MNE
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LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
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A3PN060-VQG100
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A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
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10M25DAF256I7P
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5SGXEA7H1F35C2N
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