casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIG21L4R7MNE
Número da peça de fabricante | CIG21L4R7MNE |
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Número da peça futura | FT-CIG21L4R7MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG21L |
CIG21L4R7MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 750mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 260 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21L4R7MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG21L4R7MNE-FT |
CIGT252008LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
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CIGT252010LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
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CIGW252010EH4R7SNE
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CIGW252010GL1R0MNE
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CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC4010XL-09BG256C
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XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
Intel
EPF10K200SRC240-3
Intel