casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIG21C2R2MNE
Número da peça de fabricante | CIG21C2R2MNE |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIG21C2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG21C |
CIG21C2R2MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 800mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 250 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21C2R2MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG21C2R2MNE-FT |
CIGT252010LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
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XC3S400-4FG456I
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EP20K300EFI672-2X
Intel
5SGXMA3K3F40C4N
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EP4SE530F43C4ES
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XC5VLX50-2FF1153I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel