casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201210UHR24MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201210UHR24MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201210UHR24MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201210UHR24MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 240nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.4A |
Atual - saturação | 6.6A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 22 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UHR24MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201210UHR24MNE-FT |
CIGT252008LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel