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Número da peça de fabricante | CIG21L1R5MNE |
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Número da peça futura | FT-CIG21L1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG21L |
CIG21L1R5MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.05A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 140 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21L1R5MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG21L1R5MNE-FT |
CIG22L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR24MNE
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CIGT252008LMR47MNE
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CIGT252010LM1R5MNE
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CIGT252010LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM1R0MNE
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CIGW252010EH4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel