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Número da peça de fabricante | CIG21L1R0MNE |
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Número da peça futura | FT-CIG21L1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG21L |
CIG21L1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.15A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 110 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21L1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG21L1R0MNE-FT |
CIGW252010EH4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM2R2MSE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel