casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIL10Y5R6KNC

| Número da peça de fabricante | CIL10Y5R6KNC |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-CIL10Y5R6KNC |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | CIL10 |
| CIL10Y5R6KNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo | - |
| Material - Núcleo | Ferrite |
| Indutância | 5.6µH |
| Tolerância | ±10% |
| Classificação atual | 5mA |
| Atual - saturação | - |
| Blindagem | Shielded |
| Resistência DC (DCR) | 1.55 Ohm Max |
| Q @ Freq | 35 @ 4MHz |
| Freqüência - auto-ressonante | 22MHz |
| Classificações | - |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
| Frequência de Indutância - Teste | 4MHz |
| Características | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
| Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Altura - Sentado (Max) | 0.037" (0.95mm) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CIL10Y5R6KNC Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | CIL10Y5R6KNC-FT |

CIG21L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21W2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIGT201208EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21W4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics

A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation

XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.

APA600-FGG484A
Microsemi Corporation

APA600-FG256
Microsemi Corporation

LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation

EP1C3T100I7
Intel

A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation

EP3C55F484C8
Intel

5SGXEA7H3F35C2N
Intel

5AGXMA5G4F31C4N
Intel