casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIG21L2R2MNE

| Número da peça de fabricante | CIG21L2R2MNE |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-CIG21L2R2MNE |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | CIG21L |
| CIG21L2R2MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo | Multilayer |
| Material - Núcleo | - |
| Indutância | 2.2µH |
| Tolerância | ±20% |
| Classificação atual | 950mA |
| Atual - saturação | - |
| Blindagem | Shielded |
| Resistência DC (DCR) | 160 mOhm |
| Q @ Freq | - |
| Freqüência - auto-ressonante | - |
| Classificações | - |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
| Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
| Características | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Altura - Sentado (Max) | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CIG21L2R2MNE Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | CIG21L2R2MNE-FT |

CIG22L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics

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CIGT252008LMR47MNE
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CIGT252010LM1R5MNE
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CIGT252010LMR47MNE
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XCKU035-2FBVA900I
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M2GL010T-1VFG400
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M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation

5CGXBC4C6F27C7N
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10CL055YF484I7G
Intel

EPF10K50VFC484-1
Intel

5SGXMB6R3F40I3N
Intel

XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.

LCMXO2280E-4B256C
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LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation