casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03T3N3SNC
Número da peça de fabricante | CIH03T3N3SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03T3N3SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03T |
CIH03T3N3SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.3nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 200mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | 5 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 6.7GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03T3N3SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03T3N3SNC-FT |
CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel