casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIG21W1R0MNE
Número da peça de fabricante | CIG21W1R0MNE |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIG21W1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG21W |
CIG21W1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±25% |
Classificação atual | 1.05A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 133 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21W1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG21W1R0MNE-FT |
CIGW252010GL1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM2R2MSE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel