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Número da peça de fabricante | CIG21F2R2MNC |
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Número da peça futura | FT-CIG21F2R2MNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG21F |
CIG21F2R2MNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 600mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 340 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21F2R2MNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG21F2R2MNC-FT |
CIGW252010GL3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel