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Número da peça de fabricante | CIGT201610EH1R0MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201610EH1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201610EH1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.1A |
Atual - saturação | 4.5A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 43 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EH1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201610EH1R0MNE-FT |
CIH05T7N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3SNC
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CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
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CIG22L3R3MNE
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A1425A-PQ100I
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XC2S50E-6FTG256I
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M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
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XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel