casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201610LHR24MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201610LHR24MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201610LHR24MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201610LHR24MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 240nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.7A |
Atual - saturação | 6.5A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 19 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610LHR24MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201610LHR24MNE-FT |
CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation