casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201610EHR47MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201610EHR47MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201610EHR47MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201610EHR47MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 470nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.8A |
Atual - saturação | 5.9A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 22 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EHR47MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201610EHR47MNE-FT |
CIH05T6N2CNC
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CIH05T7N5JNC
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
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A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel