casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201610EHR47MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201610EHR47MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201610EHR47MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201610EHR47MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 470nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.8A |
Atual - saturação | 5.9A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 22 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EHR47MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201610EHR47MNE-FT |
CIH05T6N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3SNC
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CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
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CIG32H2R2MNE
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CIG32W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation