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Número da peça de fabricante | CIGW252010GL3R3MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGW252010GL3R3MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW252010GL3R3MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.8A |
Atual - saturação | 2.1A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 112 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GL3R3MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW252010GL3R3MNE-FT |
CIH05T5N1CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T5N1SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T5N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T6N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation