casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW252010GLR68MNE
Número da peça de fabricante | CIGW252010GLR68MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGW252010GLR68MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW252010GLR68MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 680nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 5.2A |
Atual - saturação | 4.2A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 29 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GLR68MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW252010GLR68MNE-FT |
CIH05T5N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T6N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T7N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
AT6010A-2AU
Microchip Technology
LCMXO256C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F484I7
Intel
10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation