casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGLQ75H65T1G
Número da peça de fabricante | APTGLQ75H65T1G |
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Número da peça futura | FT-APTGLQ75H65T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGLQ75H65T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SP1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGLQ75H65T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGLQ75H65T1G-FT |
FP75R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KS4F
Infineon Technologies
FS75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel