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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100LP120N

Número da peça MFG
VS-GB100LP120N
Quantidade disponível
87260 Peças
Preço de referência
USD 62.447664
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição breve
- IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Módulos
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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VS-GB100LP120N Especificações

Número da peça de fabricante VS-GB100LP120N
Número da peça futura FT-VS-GB100LP120N
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
VS-GB100LP120N Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo IGBT -
Configuração Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 200A
Potência - Max 658W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Corrente - corte de coletor (máx.) 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso INT-A-Pak
Pacote de Dispositivo do Fornecedor INT-A-PAK
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB100LP120N Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição VS-GB100LP120N-FT

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