casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB100LP120N
Número da peça de fabricante | VS-GB100LP120N |
---|---|
Número da peça futura | FT-VS-GB100LP120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB100LP120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 658W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-Pak |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100LP120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB100LP120N-FT |
FF650R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel