casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB100LP120N
Número da peça de fabricante | VS-GB100LP120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB100LP120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB100LP120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 658W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-Pak |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100LP120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB100LP120N-FT |
FF650R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
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FF900R12IE4VBOSA1
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FF900R12IE4VPBOSA1
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FF900R12IP4DBOSA2
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FF900R12IP4DVBOSA1
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FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
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DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100-N3CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
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A3P400-FG256I
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A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2DQI
Microchip Technology
5SGXMABN3F45C3N
Intel
LFE2M35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4N
Intel