casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB50TP120N
Número da peça de fabricante | VS-GB50TP120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB50TP120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB50TP120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 446W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4.29nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB50TP120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB50TP120N-FT |
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
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DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
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DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
5SGXEA9N2F45I3LN
Intel
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel