casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB100TP120N
Número da peça de fabricante | VS-GB100TP120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB100TP120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB100TP120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 650W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-Pak |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100TP120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB100TP120N-FT |
FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
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FF900R12IE4VBOSA1
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FF900R12IE4VPBOSA1
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FF900R12IP4DBOSA2
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FF900R12IP4DVBOSA1
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FF900R12IP4PBOSA1
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FF900R12IP4VBOSA1
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DDB6U180N16RRB11BPSA1
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DF450R12N2E4PB11BPSA1
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A1010B-PQ100C
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XC6SLX150-N3CSG484I
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M2GL090T-FCSG325I
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EP2A15F672C7AA
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EPF6010AFC256-2
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EP4CE15E22I8L
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EP3SL110F1152I3
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LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation