casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS100R07N2E4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FS100R07N2E4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS100R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS100R07N2E4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 125A |
Potência - Max | 20mW |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R07N2E4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS100R07N2E4B11BOSA1-FT |
FF600R12IS4F
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10AX032H3F34I2LG
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
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EP2SGX90FF1508C5N
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EP1C6Q240C7N
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