casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB75TP120N
Número da peça de fabricante | VS-GB75TP120N |
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Número da peça futura | FT-VS-GB75TP120N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GB75TP120N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 543W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 5.52nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB75TP120N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GB75TP120N-FT |
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
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DDB6U180N16RRB11BPSA1
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DF450R12N2E4PB11BPSA1
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DF450R17N2E4PB11BPSA1
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DF600R12N2E4PB11BPSA1
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F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel