casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VUO35-12NO7
Número da peça de fabricante | VUO35-12NO7 |
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Número da peça futura | FT-VUO35-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VUO35-12NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 38A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 15A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 40µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PWS-A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PWS-A |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO35-12NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VUO35-12NO7-FT |
VBE17-06NO7
IXYS
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
VBO125-08NO7
IXYS
VBO125-12NO7
IXYS
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel