casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VBE55-12NO7
Número da peça de fabricante | VBE55-12NO7 |
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Número da peça futura | FT-VBE55-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VBE55-12NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 59A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.71V @ 30A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 1200V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | ECO-PAC1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ECO-PAC1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE55-12NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VBE55-12NO7-FT |
CD-HD201
Bourns Inc.
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
CD-HD004
Bourns Inc.
CD-HD006
Bourns Inc.
CD-HD01
Bourns Inc.
CD-HD2004
Bourns Inc.
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel