casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VBE17-06NO7
Número da peça de fabricante | VBE17-06NO7 |
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Número da peça futura | FT-VBE17-06NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VBE17-06NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 27A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.09V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 60µA @ 600V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | ECO-PAC1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ECO-PAC1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE17-06NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VBE17-06NO7-FT |
CD-MBL106S
Bourns Inc.
CD-DF410S
Bourns Inc.
CD-MBL206SL
Bourns Inc.
CD-MBL210S
Bourns Inc.
CD-HD201
Bourns Inc.
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel