casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VBO125-08NO7
Número da peça de fabricante | VBO125-08NO7 |
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Número da peça futura | FT-VBO125-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VBO125-08NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 124A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 50A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 800V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PWS-C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PWS-C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO125-08NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VBO125-08NO7-FT |
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
CD-HD004
Bourns Inc.
CD-HD006
Bourns Inc.
CD-HD01
Bourns Inc.
CD-HD2004
Bourns Inc.
CD-HD2006
Bourns Inc.
CD-HD2006L
Bourns Inc.
CD-HD201L
Bourns Inc.
CD-MBL102S
Bourns Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel