casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VBE26-06NO7
Número da peça de fabricante | VBE26-06NO7 |
---|---|
Número da peça futura | FT-VBE26-06NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VBE26-06NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 44A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.01V @ 15A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 600V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | ECO-PAC1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ECO-PAC1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE26-06NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VBE26-06NO7-FT |
CD-MBL206SL
Bourns Inc.
CD-MBL210S
Bourns Inc.
CD-HD201
Bourns Inc.
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
CD-HD004
Bourns Inc.
CD-HD006
Bourns Inc.
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel