casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-MURD620CTTRLHM3
Número da peça de fabricante | VS-MURD620CTTRLHM3 |
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Número da peça futura | FT-VS-MURD620CTTRLHM3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-MURD620CTTRLHM3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURD620CTTRLHM3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-MURD620CTTRLHM3-FT |
BYV32EB-200PJ
WeEn Semiconductors
BYV32EB-200PQ
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SBT150-04Y-DL-E
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SBT250-04Y-DL-E
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SBT80-04Y-DL-E
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SBT80-10Y-DL-E
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SBT80-10Y-E
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SDB20S30
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U20DL2C48A(TE24L,Q
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WNS20S100CBJ
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A1020B-VQ80I
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LCMXO256E-4T100C
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XC7S100-L1FGGA676I
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A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
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EP3SE80F1152C4L
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EP4SE820H35I3N
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XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel