casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-MURD620CTTRLHM3
Número da peça de fabricante | VS-MURD620CTTRLHM3 |
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Número da peça futura | FT-VS-MURD620CTTRLHM3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-MURD620CTTRLHM3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURD620CTTRLHM3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-MURD620CTTRLHM3-FT |
BYV32EB-200PJ
WeEn Semiconductors
BYV32EB-200PQ
WeEn Semiconductors
SBT150-04Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT250-04Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT80-04Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT80-10Y-DL-E
ON Semiconductor
SBT80-10Y-E
ON Semiconductor
SDB20S30
Infineon Technologies
U20DL2C48A(TE24L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
WNS20S100CBJ
WeEn Semiconductors
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel