casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1907,LF
Número da peça de fabricante | RN1907,LF |
---|---|
Número da peça futura | FT-RN1907,LF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1907,LF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | US6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1907,LF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1907,LF-FT |
RN1901FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2901FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1962FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1963FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1964FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XCV400-5FG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2N
Intel
5SGSMD8N3F45C2N
Intel
5SGXMA7H1F35C2LN
Intel
XC7K420T-3FFG1156E
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation