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Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)

Name: RN1910FE(T5L,F,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1910FE(T5L,F,T)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (403 reviews)

Número da peça MFG: RN1910FE(T5L,F,T)

Quantidade disponível: 92550 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RN1910FE(T5L,F,T).pdf

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RN1910FE(T5L,F,T) Especificações

Número da peça de fabricante	RN1910FE(T5L,F,T)
Número da peça futura	FT-RN1910FE(T5L,F,T)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RN1910FE(T5L,F,T) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)	-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.)	100nA (ICBO)
Freqüência - Transição	250MHz
Potência - Max	100mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	ES6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1910FE(T5L,F,T) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RN1910FE(T5L,F,T)-FT

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