casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1963FE(TE85L,F)
Número da peça de fabricante | RN1963FE(TE85L,F) |
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Número da peça futura | FT-RN1963FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1963FE(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ES6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1963FE(TE85L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1963FE(TE85L,F)-FT |
RN2605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2606(TE85L,F)
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RN4608(TE85L,F)
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XC4006E-3PQ208I
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EP2AGX260FF35C6NES
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EP1SGX25FF1020I6N
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