casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1909FE(TE85L,F)
Número da peça de fabricante | RN1909FE(TE85L,F) |
---|---|
Número da peça futura | FT-RN1909FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1909FE(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ES6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1909FE(TE85L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1909FE(TE85L,F)-FT |
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF6010ATC144-1
Intel
LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel