casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1909FE(TE85L,F)
Número da peça de fabricante | RN1909FE(TE85L,F) |
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Número da peça futura | FT-RN1909FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1909FE(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ES6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1909FE(TE85L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1909FE(TE85L,F)-FT |
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
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RN2607(TE85L,F)
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XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
Intel
10M16DAF484C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation