casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1906FE(T5L,F,T)
Número da peça de fabricante | RN1906FE(T5L,F,T) |
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Número da peça futura | FT-RN1906FE(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1906FE(T5L,F,T) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ES6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1906FE(T5L,F,T) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1906FE(T5L,F,T)-FT |
RN1608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1610(TE85L,F)
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RN2602(TE85L,F)
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RN2605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP50-5FF1517C
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XC3S2000-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-PQ208
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5SGXEB6R2F43C3
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC4028EX-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation