casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMD10,115
Número da peça de fabricante | PEMD10,115 |
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Número da peça futura | FT-PEMD10,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PEMD10,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD10,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PEMD10,115-FT |
NSVMUN5333DW1T3G
ON Semiconductor
SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5235DW1T1G
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MUN5116DW1T1G
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MUN5132DW1T1G
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MUN5136DW1T1G
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MUN5312DW1T2G
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MUN5316DW1T1G
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NSB4904DW1T1G
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NSVMUN5113DW1T3G
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XC7A35T-2FGG484C
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LIF-MD6000-6KMG80I
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EP20K600EFC672-3
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10M50DCF256I6G
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5SGSMD4K2F40I2L
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5SGXMA5N2F45I3N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
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EP2OK60EQI208-2X
Intel