casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5333DW1T3G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5333DW1T3G |
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Número da peça futura | FT-NSVMUN5333DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5333DW1T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5333DW1T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5333DW1T3G-FT |
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor
NSVB114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-1
Intel
5SGXEB6R3F40C2LN
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
XC7K160T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-3CPG196C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C7
Intel