casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5333DW1T3G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5333DW1T3G |
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Número da peça futura | FT-NSVMUN5333DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5333DW1T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5333DW1T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5333DW1T3G-FT |
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T5
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NSVB114YPDXV6T1G
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NSVB123JPDXV6T1G
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NSVB124XPDXV6T1G
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NSVB143TPDXV6T1G
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NSVB144EPDXV6T1G
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NSVBC114YPDXV65G
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M2GL090-FG484
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EP3C16E144I7N
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