casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5316DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5316DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5316DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5316DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5316DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5316DW1T1G-FT |
NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1G
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EMC4DXV5T1G
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NSTB1002DXV5T1G
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NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5G
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EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
10M16DCF256I6G
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation