casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5113DW1T3G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5113DW1T3G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSVMUN5113DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5113DW1T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 1V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5113DW1T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5113DW1T3G-FT |
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor
NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor
XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP1K50TI144-2N
Intel
EP20K30ETC144-2X
Intel
EPF10K30ETC144-2X
Intel
EPF6016ATI144-3
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-3N
Intel
EP2C8F256C7
Intel