casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5113DW1T3G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5113DW1T3G |
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Número da peça futura | FT-NSVMUN5113DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5113DW1T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 1V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5113DW1T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5113DW1T3G-FT |
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1G
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NSVEMC2DXV5T1G
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EMC2DXV5T1G
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EMA6DXV5T1G
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EMA6DXV5T5G
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LFXP2-5E-5TN144I
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC4020XL-09BG256C
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XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
10AX066K1F35E1SG
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EP1C4F400C8N
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EP4CGX22CF19I7
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