casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5116DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5116DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5116DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5116DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5116DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5116DW1T1G-FT |
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor
NSVB114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB123JPDXV6T1G
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NSVB124XPDXV6T1G
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NSVB143TPDXV6T1G
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NSVB144EPDXV6T1G
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NSVBC114YPDXV65G
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EMC5DXV5T1G
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EMC4DXV5T1G
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NSTB1002DXV5T1G
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XC2VP50-5FF1517C
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XC3S2000-4FGG456C
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APA600-PQ208
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5SGXEB6R2F43C3
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EP2SGX60EF1152C3N
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A1010B-PLG44C
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XC4028EX-2HQ208C
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XC4VFX60-11FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN1156C
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LFXP2-40E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation