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ON Semiconductor NVD5C632NLT4G

Name: NVD5C632NLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5C632NLT4G
Price: 0.745352 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (538 reviews)

Número da peça MFG: NVD5C632NLT4G

Quantidade disponível: 84120 Peças

Preço de referência: USD 0.745352

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 60V 29A 155A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVD5C632NLT4G.pdf

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NVD5C632NLT4G Especificações

Número da peça de fabricante	NVD5C632NLT4G
Número da peça futura	FT-NVD5C632NLT4G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NVD5C632NLT4G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 155A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	4W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5C632NLT4G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVD5C632NLT4G-FT

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