casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVB082N65S3F
Número da peça de fabricante | NVB082N65S3F |
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Número da peça futura | FT-NVB082N65S3F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
NVB082N65S3F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3410pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 313W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK-3 (TO-263) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVB082N65S3F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NVB082N65S3F-FT |
IXFT150N17T2
IXYS
IXFT26N100XHV
IXYS
IXFT32N100XHV
IXYS
IXFT60N65X2HV
IXYS
IXFT80N65X2HV
IXYS
IXFX52N100X
IXYS
IXTA230N075T2-7
IXYS
IXTA380N036T4-7
IXYS
IXTF2N300P3
IXYS
IXTF6N200P3
IXYS
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel