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GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258
- Número da peça MFG
- GA50JT06-258
- Quantidade disponível
- 61710 Peças
- Preço de referência
- USD 527.7888
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição breve
- - TRANS SJT 600V 100A
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- GA50JT06-258.pdf
GA50JT06-258 Especificações
| Número da peça de fabricante | GA50JT06-258 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-GA50JT06-258 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| GA50JT06-258 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (máx.) | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 769W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-258 |
| Pacote / caso | TO-258-3, TO-258AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GA50JT06-258 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | GA50JT06-258-FT |
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