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STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Name: SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTW90N65G2V
Price: 48.12 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (174 reviews)

Número da peça MFG: SCTW90N65G2V

Quantidade disponível: 15830 Peças

Preço de referência: USD 48.12

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SCTW90N65G2V.pdf

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SCTW90N65G2V Especificações

Número da peça de fabricante	SCTW90N65G2V
Número da peça futura	FT-SCTW90N65G2V
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
SCTW90N65G2V Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	157nC @ 18V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	390W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	HiP247™
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTW90N65G2V Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SCTW90N65G2V-FT

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