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STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7

Número da peça MFG
SCTH90N65G2V-7
Quantidade disponível
62480 Peças
Preço de referência
USD 37.7128
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
STMicroelectronics
Descrição breve
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
SCTH90N65G2V-7.pdf
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SCTH90N65G2V-7 Especificações

Número da peça de fabricante SCTH90N65G2V-7
Número da peça futura FT-SCTH90N65G2V-7
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
SCTH90N65G2V-7 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 18V
Vgs (máx.) +22V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 400V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 330W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor H2PAK-7
Pacote / caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTH90N65G2V-7 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SCTH90N65G2V-7-FT

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