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STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7
- Número da peça MFG
- SCTH90N65G2V-7
- Quantidade disponível
- 62480 Peças
- Preço de referência
- USD 37.7128
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- STMicroelectronics
- Descrição breve
- - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- SCTH90N65G2V-7.pdf
SCTH90N65G2V-7 Especificações
| Número da peça de fabricante | SCTH90N65G2V-7 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SCTH90N65G2V-7 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| SCTH90N65G2V-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| Vgs (máx.) | +22V, -10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 330W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | H2PAK-7 |
| Pacote / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCTH90N65G2V-7 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SCTH90N65G2V-7-FT |
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