casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMA6DXV5T1G
Número da peça de fabricante | EMA6DXV5T1G |
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Número da peça futura | FT-EMA6DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMA6DXV5T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA6DXV5T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMA6DXV5T1G-FT |
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
Intel
EP1K50FI256-2
Intel
EP4SGX360FH29C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XC7A200T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel