casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMA6DXV5T1
Número da peça de fabricante | EMA6DXV5T1 |
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Número da peça futura | FT-EMA6DXV5T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMA6DXV5T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA6DXV5T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMA6DXV5T1-FT |
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LIF-MD6000-6KMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M50DCF256I6G
Intel
5SGSMD4K2F40I2L
Intel
5SGXMA5N2F45I3N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel