casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSTB1002DXV5T1G
Número da peça de fabricante | NSTB1002DXV5T1G |
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Número da peça futura | FT-NSTB1002DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSTB1002DXV5T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSTB1002DXV5T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSTB1002DXV5T1G-FT |
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA144WDXV6T1G
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NSBC114YDXV6T1G
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EMF18XV6T5G
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NSVEMD4DXV6T5G
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