casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVEMC2DXV5T1G
Número da peça de fabricante | NSVEMC2DXV5T1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSVEMC2DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVEMC2DXV5T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVEMC2DXV5T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVEMC2DXV5T1G-FT |
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
XC6SLX75-N3CSG484I
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
10AX027H2F34I2SG
Intel
5SGXMA7N3F45C2N
Intel
5SGSMD8N2F45I3LN
Intel
XC5VTX150T-1FFG1156C
Xilinx Inc.