casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVEMC2DXV5T1G
Número da peça de fabricante | NSVEMC2DXV5T1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSVEMC2DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVEMC2DXV5T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVEMC2DXV5T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVEMC2DXV5T1G-FT |
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP1K30QC208-1N
Intel