casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSA106M006R1000
Número da peça de fabricante | NOSA106M006R1000 |
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Número da peça futura | FT-NOSA106M006R1000 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSA106M006R1000 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 10µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 1 Ohms |
Corrente - Vazamento | 1.2µA |
Fator de dissipação | 6% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1206 (3216 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | A |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206 (3216 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSA106M006R1000 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSA106M006R1000-FT |
NOSD107M006R0080
AVX Corporation
NOSD157M006R0100
AVX Corporation
NOSD227M004R0100
AVX Corporation
NOSD227M006R0060
AVX Corporation
NOSD337M002R0100
AVX Corporation
NOSD477M002R0055
AVX Corporation
NOSD477M002R0100
AVX Corporation
NOSD477M004R0100
AVX Corporation
NOSE227M006R0080
AVX Corporation
NOSE227M006R0100
AVX Corporation
A10V10B-VQG80C
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-UWG30ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484C8N
Intel
EP4CE30F23C9L
Intel
5SGSED8K3F40I3LN
Intel
5SGXEABN2F45I2LN
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3
Intel