casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSD227M006R0060
Número da peça de fabricante | NOSD227M006R0060 |
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Número da peça futura | FT-NOSD227M006R0060 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSD227M006R0060 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 220µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 60 mOhms |
Corrente - Vazamento | 26.4µA |
Fator de dissipação | 8% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2917 (7343 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | D |
Altura - Sentado (Max) | 0.122" (3.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2917 (7343 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD227M006R0060 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSD227M006R0060-FT |
NOJC107M002RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002SWJ
AVX Corporation
NOJC107M004RWJ
AVX Corporation
NOJC107M006RWJ
AVX Corporation
NOJC157M001RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
NOJC157M004RWJ
AVX Corporation
NOJC157M006RWJ
AVX Corporation
NOJC226M010RWJ
AVX Corporation
LCMXO2-640HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-L1FBG676I
Xilinx Inc.
XC4010E-2BG225C
Xilinx Inc.
XA3S500E-4PQG208Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8N
Intel
EP3C16U484C8N
Intel
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation